国外投行最新报告: 中国光刻机落后20年, 西方依然遥遥领先!

近几年中国芯片如同一颗冉冉升起的耀眼新星，从华为麒麟芯片突破美国封锁，到寒武纪AI芯片对英伟达的完美替代，无一不代表着中国芯片产业的崛起。

但国产芯片无论取得了怎样的成绩，国外媒体和投行们依然在以“泼冷水”的方式唱衰中国半导体产业。

近日，国外投行高盛发布的一份研究报告引发业界广泛关注，该报告指出中国国产光刻机目前仍停留在65nm工艺水平，与国际巨头ASML相比存在约20年的技术差距。

高盛认为，尽管现阶段中芯国际等中国芯片制造商已经能够生产7纳米制程的芯片，但这些芯片很可能是通过ASML较旧的深紫外光DUV光刻机生产的。

报告还明确指出，中国尚不具备制造这类先进光刻机的能力，因为这些设备的核心零组件主要来自全球供应商，尤其是美国和欧洲的供应商。

高盛之所以要对中国半导体产业“泼冷水”，是因为光刻技术在晶圆上构建精细电路的关键环节中，是芯片制造流程中最难的一步，也是成本最高的环节。

光刻机的成本通常占半导体生产线设备总成本的30%，其他设备大多需要围绕光刻机进行协同工作。

而现在全球光刻机市场呈现高度垄断格局，ASML在全球光刻设备市场占据82.1%的份额。

在7nm及以下先进制程所必需的EUV技术领域，ASML处于绝对垄断地位，EUV光刻机市占率高达100%。

即便是较高端的浸润式DUV光刻机，ASML也占据95%以上的市场份额，形成了难以撼动的市场壁垒。

而ASML能够取得今天这样的成果，是经过了长达二十年时间，并投入了高达400亿美元的研发与资本支出，以及汇集了西方最先进的科技，才有了最先进的EUV光刻机。

目前ASML的最先进光刻机已经发展到第二代EUV极紫外光刻机，最新的High-NA EUV光刻机已经开始交付给英特尔和台积电，对于1.4nm及以下工艺至关重要。

反观中国半导体产业，虽然能够制造出7nm芯片，但自研光刻机技术仍停留在65nm水平。

中国目前公开的国产光刻机仍为ArF型号，仅支持90nm工艺，与ASML差距显著，尚未突破浸润式DUV光刻机的自主制造，EUV光刻机的研发更是尚未触及。

所以高盛认为，即便中芯国际能生产出7nm制程的芯片，但是这些7nm芯片仍然是通过ASML较旧的深紫外光DUV光刻机来生产制造的。

事实上，面对技术封锁，中国正在探索多元化的追赶策略。

在核心零部件领域，华卓精科成功研发出光刻机双工件台系统，成为全球第二家掌握此项核心技术的企业。

百合光电研发的紫外LED光刻光源，将使用寿命提升至3万小时，是传统进口光源的30倍，综合成本却降低至进口产品的1/3，已被中芯国际列为战略供应商。

另外前不久发布的制造强国建设进展通报显示，28nm浸没式光刻机已完成产线验证，国产化率达到83%，可覆盖汽车电子、工业控制等关键领域的芯片需求。

即便如此，高盛仍然对中国光刻机短期赶上西方先进技术的可能性持悲观态度，但事实上技术发展并非简单的线性追赶。

后发国家在特定技术领域实现跨越式发展并非不可能，关键在于找到合适的切入点和发展路径，比如中国的航天产业、新能源汽车等，都已经反超西方国家了。

如今全球半导体产业正在经历新的技术变革，包括3D堆叠、新型材料和量子器件等前沿技术的兴起，极有可能为技术追赶提供新的机会窗口。

西方盲目的自信，更有可能在未来二三十年间重蹈覆辙，因为在这些新兴领域，起跑线相对平等，而中国企业最擅长的就是在新的赛道上超越西方！