美光科技申请在低密度存储器系统上实施容错页条带专利，提升存储器系统可靠性

金融界2025年5月8日消息，国家知识产权局信息显示，美光科技公司申请一项名为“在低密度存储器系统上实施容错页条带”的专利，公开号CN119938391A，申请日期为2020年12月。

专利摘要显示，本申请涉及在低密度存储器系统上实施容错页条带。一种实例存储器子系统包括：存储器装置；以及操作性地与所述存储器装置耦合的处理装置。所述处理装置被配置成：接收第一主机数据项目；将所述第一主机数据项目存储在存储器装置的第一逻辑单元的第一页中，其中所述第一页与容错条带相关联；接收第二主机数据项目；将所述第二主机数据项目存储在所述存储器装置的所述第一逻辑单元的第二页中，其中所述第二页与所述容错条带相关联，且其中所述第二页由包含不存储主机数据的虚设字线的一或多个字线与所述第一页分隔；以及将与所述容错条带相关联的冗余元数据存储在所述存储器装置的第二逻辑单元的第三页中。

本文源自：金融界

作者：情报员