安徽格恩半导体取得具有双图形化绝缘层结构的发光器件专利，减少金属迁移路径

金融界2025年5月9日消息，国家知识产权局信息显示，安徽格恩半导体有限公司取得一项名为“一种具有双图形化绝缘层结构的发光器件”的专利，授权公告号 CN222839231U，申请日期为 2024 年 8 月。

专利摘要显示，本实用新型涉及一种具有双图形化绝缘层结构的发光器件，包括第一半导体层、第二半导体层和有源层；与第二半导体层形成欧姆接触的第一导电层，与第一导电层形成电连接的反射层，与反射层形成电连接的第二导电层，所述第二导电层上设有多个向第一导电层方向的凸起；覆盖于第二半导体层部分表面且部分暴露于器件外部的第一绝缘层；覆盖于第一绝缘层部分表面和反射层部分表面的第三绝缘层，其中，未覆盖第一绝缘层区域的垂直方向必然覆盖第三绝缘层，基于凸起第一绝缘层和第三绝缘层形成双图形化绝缘层结构。本实用新型减少了金属迁移路径；且图形化凹陷区域能够释放部分结构应力，降低金属断裂比例。

天眼查资料显示，安徽格恩半导体有限公司，成立于2021年，位于六安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8505.7882万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽格恩半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息467条，此外企业还拥有行政许可12个。

本文源自：金融界

作者：情报员