英诺赛科取得氮化物半导体器件专利，能够减小栅极泄露电路

金融界2025年4月30日消息，国家知识产权局信息显示，英诺赛科（苏州）半导体有限公司取得一项名为“氮化物半导体器件”的专利，授权公告号CN222803313U，申请日期为2024年3月。

专利摘要显示，本申请涉及一种氮化物半导体器件。本申请通过在源、漏极和栅极之间设置钝化层，即将等离子体注入离子注入区内，使等离子体和离子注入区内的帽层中的杂质形成络合物，以改变帽层的掺杂状态和电学性质，影响其导电性能和载流子浓度，以实现对帽层的钝化。此种设置能够减少由于传统刻蚀技术所带来的界面态的问题，提高材料的质量和稳定性。还能够减小栅极泄露电路，增加栅极击穿电压的效果，提高器件和性能和可靠性。

天眼查资料显示，英诺赛科（苏州）半导体有限公司，成立于2017年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本370000万人民币。通过天眼查大数据分析，英诺赛科（苏州）半导体有限公司参与招投标项目40次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息233条，此外企业还拥有行政许可51个。

本文源自：金融界

作者：情报员